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模拟集成电路设计—带隙基准源

发布时间:2024-02-12 22:00:23

  1. ASIC设计的介绍
  2. CMOS模拟集成电路设计的目录

一、ASIC设计的介绍

《asic设计》是 科学出版社出版的图书。作者是 keithbarr陆生礼。《asic设计(混合信号集成电路设计指南)》全面介绍asic设计的各个环节。第1,2章对ic设计进行了概述,介绍晶体管及spice模型、芯片代工厂、制备工艺等知识;第3章阐述asic的经济成本问题,对asic设计中每一环节的成本进行有效的分析;第4章重点介绍asic设计所用的cad工具;第5,6章分别介绍版图设计中的标准单元和外围电路,以及焊盘、保护电路、外围金属环等可靠性设计的内容;第7,8章重点分析数字电路中的特殊逻辑结构和存储器,以及逻辑、二进制数学与处理;第9~12章分别介绍常用的模拟电路知识,包括电流源、放大器、带隙基准源、振荡器、锁相环、转换器、开关电容技术等;第13章介绍封装和测试的相关知识;最后,作者依据自己多年的设计经验对asic设计进行总结。

二、CMOS模拟集成电路设计的目录

第一章 绪论

1.1 模拟集成电路设计

1.2 字符、符号和术语

1.3 模拟信号处理

1.4 vlsi混合信号电路设计模拟举例

1.5 小结

习题

参考文献

第二章 cmos技术

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

2.1 基本mos半导体制造工艺

2.2 pn结

2.3 com晶体管

2.4 无源元件

2.5 关于cmos技术的其他考虑

2.6 集成电路版图

2.7 小结

习题

参考文献

第三章 cmos器件模型

3.1 简单的mos大信号模型

3.2 其他mos管大信号模型的参数

3.3 mos管的小信号模型

3.4 计算机仿真模型

3.5 亚阈值电压区mos模型

3.6 mos电路的spice模拟

3.7 小结

习题

参考文献

第四章 模拟cmos子电路

4.1 mos开关

4.2 mos二极管/有源电阻

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。

4.3 电流漏和电流源

4.4 电流镜

4.5 基准电流和电压

4.6 带隙基准

4.7 小结

习题

参考文献

第五章 cmos放大器

运放是运算放大器的简称。在实际电路中,通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。由于早期应用于模拟计算机中,用以实现数学运算,故得名“运算放大器”,此名称一直延续至今。运放是一个从功能的角度命名的电路单元,可以由分立的器件实现,也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展,如今绝大部分的运放是以单片的形式存在。现今运放的种类繁多,广泛应用于几乎所有的行业当中。

5.1 反相器

5.2 差分放大器

5.3 共源共栅放大器

5.4 电流放大器

5.5 输出放大器

5.6 商增益放大器结构

5.7 小结

习题

参考文献

第六章 cmos运算放大器

6.1 cmos运算放大器设计

6.2 运算放大器的补偿

6.3 两级运算放大器设计

6.4 两级运算放大器的电源抑制比

6.5 共源共栅运算放大器

6.6 运算放大器的仿真与测量

6.7 运算放大器的宏模型

6.8 小结

习题

参考文献

第七章 高性能cmos运算放大器

……

第八章 比较器

第九章 开关电容电路

第十章 数模和模数转换器